PHP52N06T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHP52N06T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для PHP52N06T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP52N06T даташит

 ..1. Size:203K  philips
 php52n06t.pdf pdf_icon

PHP52N06T

PHP52N06T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02 25 February 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Fe

Другие IGBT... PHP222NQ04LT, PHP225NQ04T, PHP24N03LT, PHP32N06LT, PHP34NQ11T, PHP36N03LT, PHP45N03LT, PHP45NQ15T, AO4407, PHP54N06T, PHP66NQ03LT, PHP71NQ03LT, PHP73N06T, PHP75NQ08T, PHP78NQ03LT, PHP83N03LT, PHP96NQ03LT