Справочник MOSFET. PHP52N06T

 

PHP52N06T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHP52N06T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для PHP52N06T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP52N06T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  philips
 php52n06t.pdf pdf_icon

PHP52N06T

PHP52N06TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 02 25 February 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Fe

Другие MOSFET... PHP222NQ04LT , PHP225NQ04T , PHP24N03LT , PHP32N06LT , PHP34NQ11T , PHP36N03LT , PHP45N03LT , PHP45NQ15T , P60NF06 , PHP54N06T , PHP66NQ03LT , PHP71NQ03LT , PHP73N06T , PHP75NQ08T , PHP78NQ03LT , PHP83N03LT , PHP96NQ03LT .

History: SVF7N65CDTR | TSM301K12CQ | AOE6930

 

 
Back to Top

 


 
.