PHP75NQ08T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHP75NQ08T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 157 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для PHP75NQ08T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP75NQ08T даташит

 ..1. Size:177K  philips
 php75nq08t.pdf pdf_icon

PHP75NQ08T

PHP75NQ08T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02 2 March 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Featu

Другие IGBT... PHP36N03LT, PHP45N03LT, PHP45NQ15T, PHP52N06T, PHP54N06T, PHP66NQ03LT, PHP71NQ03LT, PHP73N06T, 2SK3568, PHP78NQ03LT, PHP83N03LT, PHP96NQ03LT, PHP9N60E, PHU101NQ03LT, PHU108NQ03LT, PHU11NQ10T, PHU66NQ03LT