Справочник MOSFET. PHP75NQ08T

 

PHP75NQ08T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHP75NQ08T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 157 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP75NQ08T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:177K  philips
 php75nq08t.pdf pdf_icon

PHP75NQ08T

PHP75NQ08TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 02 2 March 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Featu

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HTN035N04P

 

 
Back to Top

 


 
.