Справочник MOSFET. PHP75NQ08T

 

PHP75NQ08T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHP75NQ08T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 157 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для PHP75NQ08T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP75NQ08T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:177K  philips
 php75nq08t.pdf pdf_icon

PHP75NQ08T

PHP75NQ08TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 02 2 March 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Featu

Другие MOSFET... PHP36N03LT , PHP45N03LT , PHP45NQ15T , PHP52N06T , PHP54N06T , PHP66NQ03LT , PHP71NQ03LT , PHP73N06T , 5N65 , PHP78NQ03LT , PHP83N03LT , PHP96NQ03LT , PHP9N60E , PHU101NQ03LT , PHU108NQ03LT , PHU11NQ10T , PHU66NQ03LT .

History: FIR40N10LG | 2SJ472-01L | 2SK1038 | AP3N4R5H | HGA130N12SL | IRFS720 | AFN7472S

 

 
Back to Top

 


 
.