PHP78NQ03LT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHP78NQ03LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 92 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 389 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для PHP78NQ03LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP78NQ03LT даташит

 ..1. Size:186K  philips
 php78nq03lt.pdf pdf_icon

PHP78NQ03LT

PHP78NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 06 30 January 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Feature

Другие IGBT... PHP45N03LT, PHP45NQ15T, PHP52N06T, PHP54N06T, PHP66NQ03LT, PHP71NQ03LT, PHP73N06T, PHP75NQ08T, 10N65, PHP83N03LT, PHP96NQ03LT, PHP9N60E, PHU101NQ03LT, PHU108NQ03LT, PHU11NQ10T, PHU66NQ03LT, PHU77NQ03T