Справочник MOSFET. PHP9N60E

 

PHP9N60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHP9N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для PHP9N60E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP9N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:29K  philips
 php9n60e.pdf pdf_icon

PHP9N60E

Philips Semiconductors Preliminary specification PowerMOS transistors PHP9N60E, PHB9N60E, PHW9N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 8.7 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.85 sGENERAL DESCRIPTION

 9.1. Size:115K  philips
 phb9nq20t phd9nq20t php9nq20t 2.pdf pdf_icon

PHP9N60E

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP9NQ20T, PHB9NQ20T PHD9NQ20TFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switching Low thermal resistance ID = 8.7 AgRDS(ON) 400 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel, enhancement mode field-effect power transistor using

Другие MOSFET... PHP54N06T , PHP66NQ03LT , PHP71NQ03LT , PHP73N06T , PHP75NQ08T , PHP78NQ03LT , PHP83N03LT , PHP96NQ03LT , IRFZ46N , PHU101NQ03LT , PHU108NQ03LT , PHU11NQ10T , PHU66NQ03LT , PHU77NQ03T , PHU78NQ03LT , PHW7N60 , PHW80NQ10T .

History: SIL2623 | AP60WN1K2IN | SI3407 | AP2762R-A-HF | DM4N65E | 2SJ647 | 2SK794

 

 
Back to Top

 


 
.