PHU78NQ03LT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHU78NQ03LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для PHU78NQ03LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHU78NQ03LT даташит

 ..1. Size:96K  philips
 phu78nq03lt phd78nq03lt.pdf pdf_icon

PHU78NQ03LT

PHU/PHD78NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 05 27 July 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Fast switching 1.3 Applications Computer motherboards DC-to-DC converters 1.4 Quick referenc

 ..2. Size:176K  philips
 phu78nq03lt.pdf pdf_icon

PHU78NQ03LT

PHU78NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 06 15 June 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features a

Другие IGBT... PHP83N03LT, PHP96NQ03LT, PHP9N60E, PHU101NQ03LT, PHU108NQ03LT, PHU11NQ10T, PHU66NQ03LT, PHU77NQ03T, STF13NM60N, PHW7N60, PHW80NQ10T, PHX14NQ20T, PHX18NQ11T, PHX18NQ20T, PHX20N06T, PHX23NQ10T, PHX23NQ11T