Справочник MOSFET. PHU78NQ03LT

 

PHU78NQ03LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHU78NQ03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для PHU78NQ03LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHU78NQ03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  philips
 phu78nq03lt phd78nq03lt.pdf pdf_icon

PHU78NQ03LT

PHU/PHD78NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 05 27 July 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Fast switching1.3 Applications Computer motherboards DC-to-DC converters1.4 Quick referenc

 ..2. Size:176K  philips
 phu78nq03lt.pdf pdf_icon

PHU78NQ03LT

PHU78NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 06 15 June 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features a

Другие MOSFET... PHP83N03LT , PHP96NQ03LT , PHP9N60E , PHU101NQ03LT , PHU108NQ03LT , PHU11NQ10T , PHU66NQ03LT , PHU77NQ03T , IRF2807 , PHW7N60 , PHW80NQ10T , PHX14NQ20T , PHX18NQ11T , PHX18NQ20T , PHX20N06T , PHX23NQ10T , PHX23NQ11T .

History: SI2202 | STVHD90 | QM6204S | 2SK3541-P | AM4462N | JCS9AN50FC | IRHMJ57160

 

 
Back to Top

 


 
.