PHX27NQ11T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHX27NQ11T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 110 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для PHX27NQ11T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHX27NQ11T даташит

 ..1. Size:94K  philips
 phx27nq11t.pdf pdf_icon

PHX27NQ11T

PHX27NQ11T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 01 14 May 2004 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a fully isolated encapsulated plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Low on-state resistance Isolated package. 1.3 Applications DC-to-DC converters Switched-mode power supplies. 1.4 Qu

Другие IGBT... PHW7N60, PHW80NQ10T, PHX14NQ20T, PHX18NQ11T, PHX18NQ20T, PHX20N06T, PHX23NQ10T, PHX23NQ11T, IRF1405, PHX45NQ11T, PHX8NQ11T, PHX9NQ20T, PJD1NA50, PJD1NA60, PJD1NA60A, PJD1NA80, PJD2NA60