PHX27NQ11T - аналоги и даташиты транзистора

 

PHX27NQ11T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PHX27NQ11T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для PHX27NQ11T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHX27NQ11T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  philips
 phx27nq11t.pdf pdf_icon

PHX27NQ11T

PHX27NQ11TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 14 May 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a fully isolated encapsulatedplastic package using TrenchMOS technology.1.2 Features Low on-state resistance Isolated package.1.3 Applications DC-to-DC converters Switched-mode power supplies.1.4 Qu

Другие MOSFET... PHW7N60 , PHW80NQ10T , PHX14NQ20T , PHX18NQ11T , PHX18NQ20T , PHX20N06T , PHX23NQ10T , PHX23NQ11T , IRF9640 , PHX45NQ11T , PHX8NQ11T , PHX9NQ20T , PJD1NA50 , PJD1NA60 , PJD1NA60A , PJD1NA80 , PJD2NA60 .

History: IPD50N12S3L-15 | CS3N65F | HFD5N70S | CS3N50DU | MMFT5P03HDT1 | IRF6714M | SSM6P35FE

 

 
Back to Top

 


 
.