Справочник MOSFET. PHX9NQ20T

 

PHX9NQ20T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHX9NQ20T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для PHX9NQ20T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHX9NQ20T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  philips
 phf9nq20t phx9nq20t phx9nq20t.pdf pdf_icon

PHX9NQ20T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHX9NQ20T , PHF9NQ20T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switching Low thermal resistance ID = 5.2 AgRDS(ON) 400 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel, enhancement mode field-effect power transistor using Trench te

 ..2. Size:113K  philips
 phf9nq20t phx9nq20t 2.pdf pdf_icon

PHX9NQ20T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHX9NQ20T , PHF9NQ20T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switching Low thermal resistance ID = 5.2 AgRDS(ON) 400 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel, enhancement mode field-effect power transistor using Trench te

Другие MOSFET... PHX18NQ11T , PHX18NQ20T , PHX20N06T , PHX23NQ10T , PHX23NQ11T , PHX27NQ11T , PHX45NQ11T , PHX8NQ11T , STP65NF06 , PJD1NA50 , PJD1NA60 , PJD1NA60A , PJD1NA80 , PJD2NA60 , PJD2NA60H , PJD2NA70 , PJD3NA50 .

History: VBQA1302 | BUZ77B | IPAN60R210PFD7S | P6503FMA | PM560BZ | KF9N50F | PN4117

 

 
Back to Top

 


 
.