PHX9NQ20T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHX9NQ20T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для PHX9NQ20T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHX9NQ20T даташит

 ..1. Size:113K  philips
 phf9nq20t phx9nq20t phx9nq20t.pdf pdf_icon

PHX9NQ20T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHX9NQ20T , PHF9NQ20T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switching Low thermal resistance ID = 5.2 A g RDS(ON) 400 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel, enhancement mode field-effect power transistor using Trench te

 ..2. Size:113K  philips
 phf9nq20t phx9nq20t 2.pdf pdf_icon

PHX9NQ20T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHX9NQ20T , PHF9NQ20T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switching Low thermal resistance ID = 5.2 A g RDS(ON) 400 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel, enhancement mode field-effect power transistor using Trench te

Другие IGBT... PHX18NQ11T, PHX18NQ20T, PHX20N06T, PHX23NQ10T, PHX23NQ11T, PHX27NQ11T, PHX45NQ11T, PHX8NQ11T, IRFZ46N, PJD1NA50, PJD1NA60, PJD1NA60A, PJD1NA80, PJD2NA60, PJD2NA60H, PJD2NA70, PJD3NA50