Справочник MOSFET. PJD1NA60A

 

PJD1NA60A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJD1NA60A
   Маркировка: D1NA60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 3.1 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для PJD1NA60A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJD1NA60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:412K  panjit
 pjd1na60a pjn1na60a pju1na60a pjw1na60a.pdf pdf_icon

PJD1NA60A

PPJN1NA60A / PJW1NA60A / PJU1NA60A / PJD1NA60A 600V N-Channel MOSFET 600 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

 6.1. Size:411K  panjit
 pjd1na60 pjn1na60 pju1na60 pjw1na60.pdf pdf_icon

PJD1NA60A

PPJN1NA60 / PJW1NA60 / PJU1NA60 / PJD1NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

 8.1. Size:364K  panjit
 pjd1na80 pjp1na80 pju1na80 pjw1na80.pdf pdf_icon

PJD1NA60A

PPJW1NA80 / PJU1NA80 / PJD1NA80 / PJP1NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

 8.2. Size:424K  panjit
 pjd1na50 pjn1na50 pju1na50 pjw1na50.pdf pdf_icon

PJD1NA60A

PPJN1NA50 / PJW1NA50 / PJU1NA50 / PJD1NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: AP05FN50I | AP04N70BI-A-HF

 

 
Back to Top

 


 
.