PJD5NA80 - аналоги и даташиты транзистора

 

PJD5NA80 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PJD5NA80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-252AA
 

 Аналог (замена) для PJD5NA80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJD5NA80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:450K  panjit
 pjd5na80 pjf5na80 pjp5na80 pju5na80.pdf pdf_icon

PJD5NA80

PPJU5NA80 / PJD5NA80 / PJP5NA80 / PJF5NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 5 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@ 2.5A

 8.1. Size:395K  panjit
 pjd5na50 pjf5na50 pjp5na50 pju5na50.pdf pdf_icon

PJD5NA80

PPJU5NA50 / PJD5NA50 / PJP5NA50 / PJF5NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 5 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2.5A

Другие MOSFET... PJD2NA70 , PJD3NA50 , PJD3NA80 , PJD4NA60 , PJD4NA65 , PJD4NA70 , PJD4NA90 , PJD5NA50 , IRFP064N , PJD6NA40 , PJD6NA70 , PJD7NA60 , PJD7NA65 , PJD8NA50 , PJF10NA60 , PJF10NA65 , PJF10NA80 .

History: AP9563GK | PK6H2BA | CTD02N007

 

 
Back to Top

 


 
.