PJD5NA80 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJD5NA80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm

Тип корпуса: TO-252AA

Аналог (замена) для PJD5NA80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJD5NA80 даташит

 ..1. Size:450K  panjit
 pjd5na80 pjf5na80 pjp5na80 pju5na80.pdf pdf_icon

PJD5NA80

PPJU5NA80 / PJD5NA80 / PJP5NA80 / PJF5NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 5 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@ 2.5A

 8.1. Size:395K  panjit
 pjd5na50 pjf5na50 pjp5na50 pju5na50.pdf pdf_icon

PJD5NA80

PPJU5NA50 / PJD5NA50 / PJP5NA50 / PJF5NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 5 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2.5A

Другие IGBT... PJD2NA70, PJD3NA50, PJD3NA80, PJD4NA60, PJD4NA65, PJD4NA70, PJD4NA90, PJD5NA50, IRF730, PJD6NA40, PJD6NA70, PJD7NA60, PJD7NA65, PJD8NA50, PJF10NA60, PJF10NA65, PJF10NA80