PJP1NA80 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJP1NA80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 16 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для PJP1NA80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJP1NA80 даташит

 ..1. Size:364K  panjit
 pjd1na80 pjp1na80 pju1na80 pjw1na80.pdf pdf_icon

PJP1NA80

PPJW1NA80 / PJU1NA80 / PJD1NA80 / PJP1NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

Другие IGBT... PJN1NA50, PJN1NA60, PJN1NA60A, PJP10NA60, PJP10NA65, PJP10NA80, PJP12NA60, PJP13NA50, IRLB4132, PJP2NA60, PJP2NA70, PJP3NA80, PJP4NA60, PJP4NA65, PJP4NA70, PJP4NA90, PJP5NA50