PJP9NA90 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJP9NA90

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для PJP9NA90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJP9NA90 даташит

 ..1. Size:340K  panjit
 pjf9na90 pjp9na90 pjz9na90.pdf pdf_icon

PJP9NA90

PPJP9NA90 / PJF9NA90 / PJZ9NA90 900V N-Channel MOSFET 900 V 9 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@4.5A

Другие IGBT... PJP5NA80, PJP6NA40, PJP6NA70, PJP6NA90, PJP7NA60, PJP7NA65, PJP7NA80, PJP8NA50, NCEP15T14, PJU1NA50, PJU1NA60, PJU1NA60A, PJU1NA80, PJU2NA60, PJU2NA60H, PJU2NA70, PJU3NA50