Справочник MOSFET. PJP9NA90

 

PJP9NA90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJP9NA90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для PJP9NA90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJP9NA90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:340K  panjit
 pjf9na90 pjp9na90 pjz9na90.pdf pdf_icon

PJP9NA90

PPJP9NA90 / PJF9NA90 / PJZ9NA90 900V N-Channel MOSFET 900 V 9 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@4.5A

Другие MOSFET... PJP5NA80 , PJP6NA40 , PJP6NA70 , PJP6NA90 , PJP7NA60 , PJP7NA65 , PJP7NA80 , PJP8NA50 , IRFP450 , PJU1NA50 , PJU1NA60 , PJU1NA60A , PJU1NA80 , PJU2NA60 , PJU2NA60H , PJU2NA70 , PJU3NA50 .

History: AM3993P | BUK9K20-80E | CJP85N80 | CJS8810 | PD628BA | PHX18NQ11T | BSC042NE7NS3G

 

 
Back to Top

 


 
.