PJU3NA80 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJU3NA80  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm

Тип корпуса: TO-251AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PJU3NA80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJU3NA80 даташит

 ..1. Size:458K  panjit
 pjd3na80 pjf3na80 pjp3na80 pju3na80.pdf pdf_icon

PJU3NA80

PPJU3NA80 / PJD3NA80 / PJP3NA80 / PJF3NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 3 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1.5A

 8.1. Size:265K  panjit
 pjd3na50 pju3na50.pdf pdf_icon

PJU3NA80

PPJU3NA50 / PJD3NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 3 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1.5A

Другие IGBT... PJU1NA50, PJU1NA60, PJU1NA60A, PJU1NA80, PJU2NA60, PJU2NA60H, PJU2NA70, PJU3NA50, 10N65, PJU4NA60, PJU4NA65, PJU4NA70, PJU4NA90, PJU5NA50, PJU5NA80, PJU6NA40, PJU6NA70