SFF10N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SFF10N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для SFF10N60
SFF10N60 Datasheet (PDF)
sff10n60.pdf
SemiWell Semiconductor SFF10N60 N-Channel MOSFET Features RDS(ON) Max 0.75 ohm at VGS = 10V Gate Charge ( Typical 48 nC) Improve dv/dt capability, Fast switching 100% avalanche Tested General Description This MOSFET is produced using advanced planar strip DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance h
Другие MOSFET... SFF054Z , SFF100N20 , SFF10N100 , SFF10N100B , SFF10N100M , SFF10N100N , SFF10N100P , SFF10N100Z , MMIS60R580P , SFF110S , SFF116N10M , SFF116N10Z , SFF11N80B , SFF11N80M , SFF11N80N , SFF11N80P , SFF11N80Z .
History: KP751A1 | CTD06N017 | PE544JZ | PZ2503HV | 2SK2015 | CS9N80P
History: KP751A1 | CTD06N017 | PE544JZ | PZ2503HV | 2SK2015 | CS9N80P
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay | irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a