SFF10N60 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SFF10N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SFF10N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 52 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 70 ns
   Выходная емкость (Cd): 165 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для SFF10N60

SFF10N60 Datasheet (PDF)

..1. Size:97K semiwell
sff10n60.pdf

SemiWell Semiconductor SFF10N60 N-Channel MOSFET Features RDS(ON) Max 0.75 ohm at VGS = 10V Gate Charge ( Typical 48 nC) Improve dv/dt capability, Fast switching 100% avalanche Tested General Description This MOSFET is produced using advanced planar strip DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance h

8.1. Size:176K ssdi
sff10n100n sff10n100p.pdf