SFF10N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFF10N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для SFF10N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF10N60 даташит

 ..1. Size:97K  semiwell
 sff10n60.pdf pdf_icon

SFF10N60

SemiWell Semiconductor SFF10N60 N-Channel MOSFET Features RDS(ON) Max 0.75 ohm at VGS = 10V Gate Charge ( Typical 48 nC) Improve dv/dt capability, Fast switching 100% avalanche Tested General Description This MOSFET is produced using advanced planar strip DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance h

 8.1. Size:176K  ssdi
 sff10n100n sff10n100p.pdf pdf_icon

SFF10N60

 8.2. Size:147K  ssdi
 sff10n100.pdf pdf_icon

SFF10N60

 8.3. Size:184K  ssdi
 sff10n100m sff10n100z.pdf pdf_icon

SFF10N60

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SFF054Z, SFF100N20, SFF10N100, SFF10N100B, SFF10N100M, SFF10N100N, SFF10N100P, SFF10N100Z, 7N60, SFF110S, SFF116N10M, SFF116N10Z, SFF11N80B, SFF11N80M, SFF11N80N, SFF11N80P, SFF11N80Z