SFF20P10J Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SFF20P10J
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: TO-257
SFF20P10J Datasheet (PDF)
sff20p10j.pdf

SFF20P10J Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 20 AMP /100 Volts TO-257 200 m P-Channel MOSFET Features: Rugged construction with polysilicon gate Low ON-resistance and high transconductance Excellent high tempera
Другие MOSFET... SFF150C , SFF150M , SFF150Z , SFF15N80 , SFF16N60NC , SFF20N60B , SFF20N60N , SFF20N60P , IRF630 , SFF220-28 , SFF230 , SFF230-28 , SFF230G , SFF230J , SFF230M , SFF230Z , SFF23N60M .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
a1273 transistor | 2sc1384 equivalent | 2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet