Справочник MOSFET. SFF24N50

 

SFF24N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFF24N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF24N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:28K  ssdi
 sff24n50.pdf pdf_icon

SFF24N50

SFF24N50/3 SFF24N50/3T Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 24 AMP / 500 Volts DESIGNERS DATA SHEET 0.2 N-Channel Features: Power MOSFET Rugged Construction with Polysilicon Gate Cell Low R and High Transconductance DS(ON) Excellent H

 0.1. Size:152K  ssdi
 sff24n50b.pdf pdf_icon

SFF24N50

 0.2. Size:166K  ssdi
 sff24n50n sff24n50p.pdf pdf_icon

SFF24N50

 9.1. Size:161K  ssdi
 sff240.pdf pdf_icon

SFF24N50

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDME910PZT | SRC60R078BT | HM13N50F | IRLI630A | 2SK3468-01 | IXFH20N60Q | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.