Справочник MOSFET. SFF24N50B

 

SFF24N50B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFF24N50B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: MILPACK2
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF24N50B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:152K  ssdi
sff24n50b.pdfpdf_icon

SFF24N50B

 6.1. Size:28K  ssdi
sff24n50.pdfpdf_icon

SFF24N50B

SFF24N50/3 SFF24N50/3T Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 24 AMP / 500 Volts DESIGNERS DATA SHEET 0.2 N-Channel Features: Power MOSFET Rugged Construction with Polysilicon Gate Cell Low R and High Transconductance DS(ON) Excellent H

 6.2. Size:166K  ssdi
sff24n50n sff24n50p.pdfpdf_icon

SFF24N50B

 9.1. Size:161K  ssdi
sff240.pdfpdf_icon

SFF24N50B

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STP4NB50 | AP2306CGN-HF | SIHP5N50D | SIA814DJ | SUD50N06-07L | BL4N150-K | IRF9Z34L

 

 
Back to Top

 


 
.