SFF24N50B - аналоги и даташиты транзистора

 

SFF24N50B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SFF24N50B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: MILPACK2
 

 Аналог (замена) для SFF24N50B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF24N50B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:152K  ssdi
 sff24n50b.pdf pdf_icon

SFF24N50B

 6.1. Size:28K  ssdi
 sff24n50.pdf pdf_icon

SFF24N50B

SFF24N50/3 SFF24N50/3T Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 24 AMP / 500 Volts DESIGNERS DATA SHEET 0.2 N-Channel Features: Power MOSFET Rugged Construction with Polysilicon Gate Cell Low R and High Transconductance DS(ON) Excellent H

 6.2. Size:166K  ssdi
 sff24n50n sff24n50p.pdf pdf_icon

SFF24N50B

 9.1. Size:161K  ssdi
 sff240.pdf pdf_icon

SFF24N50B

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SFF23N60Z , SFF240 , SFF240-28 , SFF240J , SFF240JR , SFF240M , SFF240Z , SFF24N50 , IRF1010E , SFF24N50N , SFF24N50P , SFF250 , SFF250C , SFF250M , SFF250MDB , SFF250MUB , SFF250Z .

History: SSP65R099S2E | SQJ858AEP | KUK7109-75ATE

 

 
Back to Top

 


 
.