SFF24N50B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SFF24N50B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
Тип корпуса: MILPACK2
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SFF24N50B Datasheet (PDF)
sff24n50.pdf

SFF24N50/3 SFF24N50/3T Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 24 AMP / 500 Volts DESIGNERS DATA SHEET 0.2 N-Channel Features: Power MOSFET Rugged Construction with Polysilicon Gate Cell Low R and High Transconductance DS(ON) Excellent H
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: STP4NB50 | AP2306CGN-HF | SIHP5N50D | SIA814DJ | SUD50N06-07L | BL4N150-K | IRF9Z34L
History: STP4NB50 | AP2306CGN-HF | SIHP5N50D | SIA814DJ | SUD50N06-07L | BL4N150-K | IRF9Z34L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor | 2n3394