SFF24N50B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFF24N50B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: MILPACK2

Аналог (замена) для SFF24N50B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF24N50B даташит

 ..1. Size:152K  ssdi
 sff24n50b.pdf pdf_icon

SFF24N50B

 6.1. Size:28K  ssdi
 sff24n50.pdf pdf_icon

SFF24N50B

SFF24N50/3 SFF24N50/3T Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-7855 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 24 AMP / 500 Volts DESIGNER S DATA SHEET 0.2 N-Channel Features Power MOSFET Rugged Construction with Polysilicon Gate Cell Low R and High Transconductance DS(ON) Excellent H

 6.2. Size:166K  ssdi
 sff24n50n sff24n50p.pdf pdf_icon

SFF24N50B

 9.1. Size:161K  ssdi
 sff240.pdf pdf_icon

SFF24N50B

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SFF23N60Z, SFF240, SFF240-28, SFF240J, SFF240JR, SFF240M, SFF240Z, SFF24N50, IRF9540N, SFF24N50N, SFF24N50P, SFF250, SFF250C, SFF250M, SFF250MDB, SFF250MUB, SFF250Z