Справочник MOSFET. IRFS9N60A

 

IRFS9N60A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS9N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IRFS9N60A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS9N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  international rectifier
 irfs9n60apbf.pdf pdf_icon

IRFS9N60A

PD - 95538SMPS MOSFETIRFS9N60APbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 600V 0.75 9.2Al High Speed Power Switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt RuggednessG D Sl Fully Characterized Capacitance an

 ..2. Size:270K  international rectifier
 irfs9n60a.pdf pdf_icon

IRFS9N60A

PD - 95538SMPS MOSFETIRFS9N60APbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 600V 0.75 9.2Al High Speed Power Switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt RuggednessG D Sl Fully Characterized Capacitance an

 ..3. Size:225K  vishay
 irfs9n60a sihfs9n60a.pdf pdf_icon

IRFS9N60A

IRFS9N60A, SiHFS9N60Awww.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low gate charge Qg results in simple drive VDS (V) 600requirementRDS(on) ()VGS = 10 V 0.75Available Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt Qg max. (nC) 49ruggednessQgs (nC) 13Available Fully characterized capacitance and avalanche Qgd (nC) 20voltage and curr

 ..4. Size:278K  inchange semiconductor
 irfs9n60a.pdf pdf_icon

IRFS9N60A

iscN-Channel MOSFET Transistor IRFS9N60AFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) =0.75 (MAX)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALU

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS9630 , IRFS9631 , IRFS9632 , IRFS9633 , IRFS9640 , IRFS9641 , IRFS9642 , IRFS9643 , 5N60 , IRFSL11N50A , IRFSL9N60A , IRFSZ14A , IRFSZ20 , IRFSZ22 , IRFSZ24 , IRFSZ24A , IRFSZ25 .

History: FTK7N65F | HUFA76429P3 | AOB266L | AOC2414 | PZD502CYB | STP10NK70ZFP | UPA1820GR

 

 
Back to Top

 


 
.