Справочник MOSFET. IRFS9N60A

 

IRFS9N60A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFS9N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IRFS9N60A

 

 

IRFS9N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  international rectifier
irfs9n60apbf.pdf

IRFS9N60A
IRFS9N60A

PD - 95538SMPS MOSFETIRFS9N60APbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 600V 0.75 9.2Al High Speed Power Switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt RuggednessG D Sl Fully Characterized Capacitance an

 ..2. Size:270K  international rectifier
irfs9n60a.pdf

IRFS9N60A
IRFS9N60A

PD - 95538SMPS MOSFETIRFS9N60APbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 600V 0.75 9.2Al High Speed Power Switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt RuggednessG D Sl Fully Characterized Capacitance an

 ..3. Size:225K  vishay
irfs9n60a sihfs9n60a.pdf

IRFS9N60A
IRFS9N60A

IRFS9N60A, SiHFS9N60Awww.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low gate charge Qg results in simple drive VDS (V) 600requirementRDS(on) ()VGS = 10 V 0.75Available Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt Qg max. (nC) 49ruggednessQgs (nC) 13Available Fully characterized capacitance and avalanche Qgd (nC) 20voltage and curr

 ..4. Size:278K  inchange semiconductor
irfs9n60a.pdf

IRFS9N60A
IRFS9N60A

iscN-Channel MOSFET Transistor IRFS9N60AFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) =0.75 (MAX)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALU

 9.1. Size:290K  1
irfs9530 irfs9531.pdf

IRFS9N60A
IRFS9N60A

 9.2. Size:286K  1
irfs9640 irfs9641.pdf

IRFS9N60A
IRFS9N60A

 9.3. Size:282K  1
irfs9240 irfs9241.pdf

IRFS9N60A
IRFS9N60A

 9.4. Size:296K  1
irfs9540 irfs9541.pdf

IRFS9N60A
IRFS9N60A

 9.5. Size:288K  1
irfs9140 irfs9141.pdf

IRFS9N60A
IRFS9N60A

 9.6. Size:26K  samsung
irfs8xx irfs9xxx sss4n60 sss6n60.pdf

IRFS9N60A

 9.7. Size:13K  samsung
irfs91xx irfs92xx.pdf

IRFS9N60A

Другие MOSFET... IRFS9630 , IRFS9631 , IRFS9632 , IRFS9633 , IRFS9640 , IRFS9641 , IRFS9642 , IRFS9643 , SPP20N60C3 , IRFSL11N50A , IRFSL9N60A , IRFSZ14A , IRFSZ20 , IRFSZ22 , IRFSZ24 , IRFSZ24A , IRFSZ25 .

 

 
Back to Top