Справочник MOSFET. SFF4N60

 

SFF4N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFF4N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для SFF4N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF4N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:457K  winsemi
 sff4n60.pdf pdf_icon

SFF4N60

SFF4N60SFF4N60SFF4N60SFF4N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 4A,600V,R (Max 2.2)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 16nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General Descri

Другие MOSFET... SFF44N50M , SFF44N50S1 , SFF44N50S2 , SFF44N50Z , SFF450 , SFF450C , SFF450M , SFF450Z , IRF9640 , SFF50N20 , SFF50N20B , SFF50N20N , SFF50N20P , SFF50N30M , SFF50N30Z , SFF60P05M , SFF60P05MDB .

History: AM2373P | VS3625GPMC | AM8N25-550D | MDV1595SURH | FQN1N50CTA | VBA3695 | CP650

 

 
Back to Top

 


 
.