Справочник MOSFET. SFF4N60

 

SFF4N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFF4N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для SFF4N60

 

 

SFF4N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:457K  winsemi
 sff4n60.pdf

SFF4N60 SFF4N60

SFF4N60SFF4N60SFF4N60SFF4N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 4A,600V,R (Max 2.2)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 16nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General Descri

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SW4N60

 

 
Back to Top