SFF4N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFF4N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для SFF4N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF4N60 даташит

 ..1. Size:457K  winsemi
 sff4n60.pdf pdf_icon

SFF4N60

SFF4N60 SFF4N60 SFF4N60 SFF4N60 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 4A,600V,R (Max 2.2 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 16nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC) ISO Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Descri

Другие IGBT... SFF44N50M, SFF44N50S1, SFF44N50S2, SFF44N50Z, SFF450, SFF450C, SFF450M, SFF450Z, K2611, SFF50N20, SFF50N20B, SFF50N20N, SFF50N20P, SFF50N30M, SFF50N30Z, SFF60P05M, SFF60P05MDB