SFF75N05M datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SFF75N05M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: TO-254
Аналог (замена) для SFF75N05M
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SFF75N05M даташит
sff75n05m sff75n05z.pdf
SFF75N05M SFF75N05Z SOLID STATE DEVICES, INC. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-7855 * Fax (562) 404-1773 75 AMP 50 VOLTS DESIGNER'S DATA SHEET 15m FEATURES N-CHANNEL Advanced high-cell density withstands high energy MOSFET Very low conduction and switching losses Fast recovery drain-to-source diode with soft recove
sff75n08m sff75n08z.pdf
SFF75N08M Solid State Devices, Inc. SFF75N08Z 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-7855 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNER S DATA SHEET 55 AMP (note 1) /75 Volts TO-254 and TO-254Z 8.5 mO N-Channel Trench Gate MOSFET Note 1 maximum current limited by package configuration Features Trench gate techn
sff75n06-28.pdf
PRELIMINARY SFF75N06-28 SOLID STATE DEVICES, INC. 14005 Stage Road * Santa Fe Springs, Ca 90670 Phone (562) 404-4474 * Fax (562) 404-1773 30 AMP 1/ 60 VOLTS DESIGNER'S DATA SHEET 25m N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES Rugged construction with poly silicon gate Low RDS (on) and high transconductance 28 PIN CLCC Excellent high temperature stability Very fast switc
sff75n06m sff75n06z.pdf
SFF75N06M SFF75N06Z SOLID STATE DEVICES, INC. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-7855 * Fax (562) 404-1773 75 AMP 60 VOLTS DESIGNER'S DATA SHEET 15m FEATURES N-CHANNEL Advanced high-cell density withstands high energy POWER MOSFET Very low conduction and switching losses Fast recovery drain-to-source diode with soft r
Другие IGBT... SFF60P05ZUB, SFF6N100S1, SFF7002KA2GW, SFF70N04S, SFF70N10M, SFF70N10Z, SFF730, SFF740, IRF640, SFF75N05Z, SFF75N06-28, SFF75N06M, SFF75N06Z, SFF75N08M, SFF75N08Z, SFF75N10, SFF75N10B
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60 | ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ
Popular searches
mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor




