Справочник MOSFET. SFF75N10

 

SFF75N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFF75N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 160 nC
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO-3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF75N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  ssdi
sff75n10.pdfpdf_icon

SFF75N10

 0.1. Size:145K  ssdi
sff75n10b.pdfpdf_icon

SFF75N10

 0.2. Size:168K  ssdi
sff75n10n sff75n10p.pdfpdf_icon

SFF75N10

 8.1. Size:40K  ssdi
sff75n08m sff75n08z.pdfpdf_icon

SFF75N10

SFF75N08M Solid State Devices, Inc. SFF75N08Z 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 55 AMP (note 1) /75 Volts TO-254 and TO-254Z 8.5 mO N-Channel Trench Gate MOSFET Note 1: maximum current limited by package configuration Features: Trench gate techn

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: HYG800P10LR1D | FDPF8N50NZU | KNB1906A | SDF120JDA-D

 

 
Back to Top

 


 
.