Справочник MOSFET. SFF80N20PDB

 

SFF80N20PDB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFF80N20PDB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO-259
 

 Аналог (замена) для SFF80N20PDB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF80N20PDB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  ssdi
 sff80n20mub sff80n20n sff80n20m sff80n20mdb sff80n20ndb sff80n20nub sff80n20p sff80n20pdb sff80n20pub sff80n20zub sff80n20z sff80n20zdb.pdf pdf_icon

SFF80N20PDB

SFF80N20 Series Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 80 AMP , 200 Volts, 25 m DESIGNERS DATA SHEET Avalanche Rated N-channel Part Number / Ordering Information 1/ SFF80N20 ___ ___ ___ MOSFET Screening 2/ __ = Not Screened TX

 9.1. Size:144K  ssdi
 sff801r2.pdf pdf_icon

SFF80N20PDB

Другие MOSFET... SFF801R2 , SFF80N20M , SFF80N20MDB , SFF80N20MUB , SFF80N20N , SFF80N20NDB , SFF80N20NUB , SFF80N20P , IRFP260 , SFF80N20PUB , SFF80N20Z , SFF80N20ZDB , SFF80N20ZUB , SFF840 , SFF85N06M , SFF85N06Z , SFF9130 .

 

 
Back to Top

 


 
.