SFF85N06M - аналоги и даташиты транзистора

 

SFF85N06M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SFF85N06M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 150 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 135 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO-254
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF85N06M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:40K  ssdi
 sff85n06m sff85n06z.pdf pdf_icon

SFF85N06M

SFF85N06M Solid State Devices, Inc. SFF85N06Z 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 55 AMP (note 1) /60 Volts TO-254 and TO-254Z 7 mO N-Channel Trench Gate MOSFET Note 1: maximum current limited by package configuration Features: Trench gate technol

Другие MOSFET... SFF80N20NUB , SFF80N20P , SFF80N20PDB , SFF80N20PUB , SFF80N20Z , SFF80N20ZDB , SFF80N20ZUB , SFF840 , AO3400 , SFF85N06Z , SFF9130 , SFF9130-28D , SFF9130J , SFF9130M , SFF9130Z , SIS415DNT , SFF9140-28 .

History: CEB85A3

 

 
Back to Top

 


 
.