SFF85N06M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SFF85N06M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 135 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO-254
SFF85N06M Datasheet (PDF)
sff85n06m sff85n06z.pdf

SFF85N06M Solid State Devices, Inc. SFF85N06Z 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 55 AMP (note 1) /60 Volts TO-254 and TO-254Z 7 mO N-Channel Trench Gate MOSFET Note 1: maximum current limited by package configuration Features: Trench gate technol
Другие MOSFET... SFF80N20NUB , SFF80N20P , SFF80N20PDB , SFF80N20PUB , SFF80N20Z , SFF80N20ZDB , SFF80N20ZUB , SFF840 , AO3400 , SFF85N06Z , SFF9130 , SFF9130-28D , SFF9130J , SFF9130M , SFF9130Z , SIS415DNT , SFF9140-28 .
History: CEB85A3
History: CEB85A3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0611PP | JMSL0611PGD | JMSL0611PG | JMSL0610AGDQ | JMSL0610AGD | JMSL060SPGQ | JMSL0609PPD | JMSL0609AUQ | JMSL0609AU | JMSL0609APD | JMSL0609AP | JMSL0609AKQ | JMSL0609AK | JMSL0609AGWQ | JMSL0609AGQ | JMSL0609AG
Popular searches
2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet