SFF85N06Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFF85N06Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 135 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO-254Z

Аналог (замена) для SFF85N06Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF85N06Z даташит

 ..1. Size:40K  ssdi
 sff85n06m sff85n06z.pdf pdf_icon

SFF85N06Z

SFF85N06M Solid State Devices, Inc. SFF85N06Z 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-7855 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNER S DATA SHEET 55 AMP (note 1) /60 Volts TO-254 and TO-254Z 7 mO N-Channel Trench Gate MOSFET Note 1 maximum current limited by package configuration Features Trench gate technol

Другие IGBT... SFF80N20P, SFF80N20PDB, SFF80N20PUB, SFF80N20Z, SFF80N20ZDB, SFF80N20ZUB, SFF840, SFF85N06M, K3569, SFF9130, SFF9130-28D, SFF9130J, SFF9130M, SFF9130Z, SIS415DNT, SFF9140-28, SFF9140C