SFF9130 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFF9130

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: MILPACK

Аналог (замена) для SFF9130

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF9130 даташит

 ..1. Size:172K  ssdi
 sff9130.pdf pdf_icon

SFF9130

 0.1. Size:175K  ssdi
 sff9130-28d.pdf pdf_icon

SFF9130

PRELIMINARY SFF9130-28D SOLID STATE DEVICES, INC. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-7855 * Fax (562) 404-1773 -11 AMP -100 VOLTS DESIGNER'S DATA SHEET 0.30 DUAL UNCOMMITED FEATURES P-CHANNEL POWER MOSFET Rugged construction with poly silicon gate Low RDS (on) and high transconductance 28 PIN CLCC Excellent high temperature stability

 0.2. Size:170K  ssdi
 sff9130m sff9130z.pdf pdf_icon

SFF9130

 0.3. Size:153K  ssdi
 sff9130j.pdf pdf_icon

SFF9130

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SFF80N20PDB, SFF80N20PUB, SFF80N20Z, SFF80N20ZDB, SFF80N20ZUB, SFF840, SFF85N06M, SFF85N06Z, IRFP260, SFF9130-28D, SFF9130J, SFF9130M, SFF9130Z, SIS415DNT, SFF9140-28, SFF9140C, SFF9140J