Справочник MOSFET. SFF9130M

 

SFF9130M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFF9130M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-254
 

 Аналог (замена) для SFF9130M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF9130M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  ssdi
 sff9130m sff9130z.pdf pdf_icon

SFF9130M

 7.1. Size:175K  ssdi
 sff9130-28d.pdf pdf_icon

SFF9130M

PRELIMINARYSFF9130-28DSOLID STATE DEVICES, INC.14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773-11 AMP-100 VOLTSDESIGNER'S DATA SHEET0.30 DUAL UNCOMMITEDFEATURES: P-CHANNEL POWER MOSFET Rugged construction with poly silicon gate Low RDS (on) and high transconductance28 PIN CLCC Excellent high temperature stability

 7.2. Size:172K  ssdi
 sff9130.pdf pdf_icon

SFF9130M

 7.3. Size:153K  ssdi
 sff9130j.pdf pdf_icon

SFF9130M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SFF80N20ZDB , SFF80N20ZUB , SFF840 , SFF85N06M , SFF85N06Z , SFF9130 , SFF9130-28D , SFF9130J , IRF9540N , SFF9130Z , SIS415DNT , SFF9140-28 , SFF9140C , SFF9140J , SFF9140M , SFF9140Z , SFF9230M .

History: TK60F08K3 | NTMFS4H02N | TK5A65W | WSD2018ADN22 | AUIRFP4409 | IRF6100PBF | SIHF6N40D

 

 
Back to Top

 


 
.