Справочник MOSFET. SFF9230M

 

SFF9230M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFF9230M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 31 nC
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-254

 Аналог (замена) для SFF9230M

 

 

SFF9230M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:162K  ssdi
 sff9230m sff9230z.pdf

SFF9230M SFF9230M

 9.1. Size:545K  fairchild semi
 sff9250l.pdf

SFF9230M SFF9230M

Advanced Power MOSFETSFF9250LFEATURESBVDSS = -200 V Logic-Level Gate DriveRDS(on) = 0.23 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = -12.6 A Lower Input Capacitances Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3PF Lower Leakage Current : 10uA (Max.) @ VDS=-200V Lower RDS(ON) : 0.175 (Typ.)1231.Gate 2.

 9.2. Size:906K  samsung
 sff9244.pdf

SFF9230M SFF9230M

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -250 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -6.0 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -250V Lower RDS(ON) : 0.549 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic

 9.3. Size:903K  samsung
 sff9240.pdf

SFF9230M SFF9230M

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -7.6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -200V Lower RDS(ON) : 0.344 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic

 9.4. Size:152K  ssdi
 sff9240c.pdf

SFF9230M SFF9230M

 9.5. Size:156K  ssdi
 sff9240j.pdf

SFF9230M SFF9230M

 9.6. Size:156K  ssdi
 sff9240-28.pdf

SFF9230M SFF9230M

 9.7. Size:169K  ssdi
 sff9240m sff9240z.pdf

SFF9230M SFF9230M

 9.8. Size:35K  sensitron
 sff924028.pdf

SFF9230M SFF9230M

SENSITRON SHD226409 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 582, REV. - HERMETIC POWER MOSFET P-CHANNEL FEATURES: -100 Volt, 0.21 Ohm, -13A MOSFET Isolated Hermetic Metal Package Fast Switching Equivalent to IRFY9140 Series MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TC = 25C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED. RATING SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNITS GATE TO SOURCE VOLT

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top