SFI9540 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFI9540  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 132 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для SFI9540

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFI9540 даташит

 ..1. Size:503K  samsung
 sfi9540.pdf pdf_icon

SFI9540

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -17 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175oC Operating Temperature 2 Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -100V Low RDS(ON) 0.161 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolut

 9.1. Size:230K  fairchild semi
 sfi9510 sfw9510.pdf pdf_icon

SFI9540

SFW/I9510 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -100 V n Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.2 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input Capacitance ID = -3.6 A n Improved Gate Charge n Extended Safe Operating Area D2-PAK I2-PAK n 175oC Operating Temperature 2 n Lower Leakage Current 10 A(Max.) @ VDS = -100V n Low RDS(ON) 0.912 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate

 9.2. Size:228K  fairchild semi
 sfw9520 sfi9520.pdf pdf_icon

SFI9540

SFW/I9520 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -100 V n Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.6 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input Capacitance ID = -6.0 A n Improved Gate Charge n Extended Safe Operating Area D2-PAK I2-PAK n 175oC Operating Temperature 2 n Lower Leakage Current 10 A(Max.) @ VDS = -100V n Low RDS(ON) 0.444 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gat

 9.3. Size:210K  samsung
 sfi9530.pdf pdf_icon

SFI9540

SFW/I9530 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -10.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D2-PAK I2-PAK 175oC Operating Temperature 2 Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -100V Low RDS(ON) 0.225 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SFF9250L, SFFC40-28, SFFC50, SFFC50M, SFFC50Z, SFFX054M, SFFX054Z, SFH9250L, RFP50N06, SFL024, SFL044J, SFL3200, SFM9014TF, SFM9110TF, SFP12N65, SFP13N50, SFP3710G