SFP630 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFP630  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 43 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 9.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SFP630

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP630 даташит

 ..1. Size:559K  winsemi
 sfp630.pdf pdf_icon

SFP630

SFP630 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features Features Features Features 9A, 200V,RDS(on)(Max 0.4 )@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 43nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description General Description General Descript

 9.1. Size:707K  winsemi
 sfp634.pdf pdf_icon

SFP630

SFP634 SFP634 SFP634 SFP634 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features Features Features Features 9A, 250V, R (Max 0.45 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 41nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description Genera

Другие IGBT... SFM9014TF, SFM9110TF, SFP12N65, SFP13N50, SFP3710G, SFP50N06, SFP50N06R, SFP5N50, 75N75, SFP634, SFP640, SFP6N40, SFP70N06, SFP730, SFP730D, SFP740, SFP75N08R