Справочник MOSFET. IRFSZ35

 

IRFSZ35 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFSZ35
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFSZ35

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFSZ35 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:42K  1
 irfsz20 irfsz24 irfsz30 irfsz34 irfsz40 irfsz44.pdf pdf_icon

IRFSZ35

 8.2. Size:498K  samsung
 irfsz34a.pdf pdf_icon

IRFSZ35

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.04 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 20 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.030 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Cha

 9.1. Size:280K  1
 irfsz14a.pdf pdf_icon

IRFSZ35

 9.2. Size:1006K  samsung
 irfsz24a.pdf pdf_icon

IRFSZ35

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.07 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.050 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Ch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFSZ22 , IRFSZ24 , IRFSZ24A , IRFSZ25 , IRFSZ30 , IRFSZ32 , IRFSZ34 , IRFSZ34A , AON7506 , IRFSZ40 , IRFSZ42 , IRFSZ44 , IRFSZ44A , IRFSZ45 , IRFU010 , IRFU012 , IRFU014 .

History: P5515BD

 

 
Back to Top

 


 
.