Справочник MOSFET. SFP830

 

SFP830 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFP830
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SFP830

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP830 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:542K  winsemi
 sfp830.pdf pdf_icon

SFP830

SFP830Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesFeaturesFeaturesFeatures 4.5A,500V,RDS(on)(Max 1.5)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionGeneral DescriptionGeneral Descrip

 0.1. Size:214K  semiwell
 sfp830d.pdf pdf_icon

SFP830

SemiWell Semiconductor SFP830D N-Channel MOSFET Features RDS(ON) Max 1.5 ohm at VGS = 10V Gate Charge ( Typical 20nC) Improve dv/dt capability, Fast switching 100% avalanche Tested General Description This MOSFET is produced using advanced planar strip DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance have

Другие MOSFET... SFP634 , SFP640 , SFP6N40 , SFP70N06 , SFP730 , SFP730D , SFP740 , SFP75N08R , 60N06 , SFP830D , SFP840 , SFP9640L , SFP9N50 , SFR9014TF , SFR9024TM , SFR9034TF , SFR9110TF .

History: WMN25N70EM

 

 
Back to Top

 


 
.