SFP830 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFP830  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SFP830

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP830 даташит

 ..1. Size:542K  winsemi
 sfp830.pdf pdf_icon

SFP830

SFP830 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features Features Features Features 4.5A,500V,RDS(on)(Max 1.5 )@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description General Description General Descrip

 0.1. Size:214K  semiwell
 sfp830d.pdf pdf_icon

SFP830

SemiWell Semiconductor SFP830D N-Channel MOSFET Features RDS(ON) Max 1.5 ohm at VGS = 10V Gate Charge ( Typical 20nC) Improve dv/dt capability, Fast switching 100% avalanche Tested General Description This MOSFET is produced using advanced planar strip DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance have

Другие IGBT... SFP634, SFP640, SFP6N40, SFP70N06, SFP730, SFP730D, SFP740, SFP75N08R, IRLB3034, SFP830D, SFP840, SFP9640L, SFP9N50, SFR9014TF, SFR9024TM, SFR9034TF, SFR9110TF