Справочник MOSFET. SFP830D

 

SFP830D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFP830D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP830D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  semiwell
 sfp830d.pdf pdf_icon

SFP830D

SemiWell Semiconductor SFP830D N-Channel MOSFET Features RDS(ON) Max 1.5 ohm at VGS = 10V Gate Charge ( Typical 20nC) Improve dv/dt capability, Fast switching 100% avalanche Tested General Description This MOSFET is produced using advanced planar strip DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance have

 8.1. Size:542K  winsemi
 sfp830.pdf pdf_icon

SFP830D

SFP830Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesFeaturesFeaturesFeatures 4.5A,500V,RDS(on)(Max 1.5)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionGeneral DescriptionGeneral Descrip

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IXFN80N60P3 | WSD30L40DN | IPD50R280CE | IPD80R4K5P7 | OSG65R1K4AF | NDT6N70 | ELM34802AA-N

 

 
Back to Top

 


 
.