SFR9034TF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFR9034TF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: DPAK

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SFR9034TF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFR9034TF даташит

 ..1. Size:235K  fairchild semi
 sfr9034tf.pdf pdf_icon

SFR9034TF

SFR/U9034 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.14 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK Lower Leakage Current 10 A(Max.) @ VDS = -60V Lower RDS(ON) 0.106 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absol

 7.1. Size:238K  fairchild semi
 sfu9034 sfr9034.pdf pdf_icon

SFR9034TF

SFR/U9034 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.14 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK Lower Leakage Current 10 A(Max.) @ VDS = -60V Lower RDS(ON) 0.106 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absol

 7.2. Size:504K  samsung
 sfr9034.pdf pdf_icon

SFR9034TF

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.14 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -60V Lower RDS(ON) 0.106 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Cha

 9.1. Size:230K  fairchild semi
 sfu9024 sfr9024.pdf pdf_icon

SFR9034TF

SFR/U9024 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -60 V n Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.28 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input Capacitance ID = -7.8 A n Improved Gate Charge n Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK n Lower Leakage Current 10 A(Max.) @ VDS = -60V n Lower RDS(ON) 0.206 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Ma

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SFP75N08R, SFP830, SFP830D, SFP840, SFP9640L, SFP9N50, SFR9014TF, SFR9024TM, MMIS60R580P, SFR9110TF, SFT1452, SFT210DE, SFT6661, SFW9530TM, SFW9640TM, SFW9Z34TM, SQM100N04-2M7