Справочник MOSFET. SFR9034TF

 

SFR9034TF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFR9034TF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для SFR9034TF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFR9034TF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  fairchild semi
sfr9034tf.pdfpdf_icon

SFR9034TF

SFR/U9034Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.14 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD-PAK I-PAK Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -60V Lower RDS(ON) : 0.106 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsol

 7.1. Size:238K  fairchild semi
sfu9034 sfr9034.pdfpdf_icon

SFR9034TF

SFR/U9034Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.14 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD-PAK I-PAK Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -60V Lower RDS(ON) : 0.106 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsol

 7.2. Size:504K  samsung
sfr9034.pdfpdf_icon

SFR9034TF

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.14 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -60V Lower RDS(ON) : 0.106 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Cha

 9.1. Size:230K  fairchild semi
sfu9024 sfr9024.pdfpdf_icon

SFR9034TF

SFR/U9024Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 Vn Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.28 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input CapacitanceID = -7.8 An Improved Gate Chargen Extended Safe Operating AreaD-PAK I-PAKn Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -60Vn Lower RDS(ON) : 0.206 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Ma

Другие MOSFET... SFP75N08R , SFP830 , SFP830D , SFP840 , SFP9640L , SFP9N50 , SFR9014TF , SFR9024TM , 2N7002 , SFR9110TF , SFT1452 , SFT210DE , SFT6661 , SFW9530TM , SFW9640TM , SFW9Z34TM , SQM100N04-2M7 .

History: RU8080S | TK4R3E06PL

 

 
Back to Top

 


 
.