SFW9530TM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFW9530TM  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для SFW9530TM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFW9530TM даташит

 ..1. Size:233K  fairchild semi
 sfw9530tm.pdf pdf_icon

SFW9530TM

SFW/I9530 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -100 V n Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.3 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input Capacitance ID = -10.5 A n Improved Gate Charge n Extended Safe Operating Area D2-PAK I2-PAK n 175oC Operating Temperature 2 n Lower Leakage Current 10 A(Max.) @ VDS = -100V n Low RDS(ON) 0.225 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Ga

 7.1. Size:504K  samsung
 sfw9530.pdf pdf_icon

SFW9530TM

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -10.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175oC Operating Temperature 2 Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -100V Low RDS(ON) 0.225 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absol

 9.1. Size:230K  fairchild semi
 sfi9510 sfw9510.pdf pdf_icon

SFW9530TM

SFW/I9510 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -100 V n Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.2 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input Capacitance ID = -3.6 A n Improved Gate Charge n Extended Safe Operating Area D2-PAK I2-PAK n 175oC Operating Temperature 2 n Lower Leakage Current 10 A(Max.) @ VDS = -100V n Low RDS(ON) 0.912 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate

 9.2. Size:201K  fairchild semi
 sfw9540.pdf pdf_icon

SFW9530TM

SFW/I9540 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -100 V n Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.2 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input Capacitance ID = -17 A n Improved Gate Charge n Extended Safe Operating Area D2-PAK I2-PAK n 175oC Operating Temperature 2 n Lower Leakage Current 10 A(Max.) @ VDS = -100V n Low RDS(ON) 0.161 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SFP9N50, SFR9014TF, SFR9024TM, SFR9034TF, SFR9110TF, SFT1452, SFT210DE, SFT6661, AO4468, SFW9640TM, SFW9Z34TM, SQM100N04-2M7, SQM100N04-3M5, SQM100N10-10, SQM110N04-02L, SQM110N04-03, SQM110N04-03L