Справочник MOSFET. SQM50N04-4M1

 

SQM50N04-4M1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQM50N04-4M1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 512 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SQM50N04-4M1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  vishay
sqm50n04-4m1.pdfpdf_icon

SQM50N04-4M1

SQM50N04-4m1www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0041 AEC-Q101 QualifieddID (A) 50 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Material categorization:For definitions of compliance please s

 3.1. Size:165K  vishay
sqm50n04-4m0l.pdfpdf_icon

SQM50N04-4M1

SQM50N04-4m0Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0040 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0055 AEC-Q101 QualifieddID (A) 50 Material categorization:Configuration Singl

 5.1. Size:168K  vishay
sqm50n04-5m0.pdfpdf_icon

SQM50N04-4M1

SQM50N04-5m0www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.005 100 % Rg and UIS TestedID (A) 50 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single Material categorization: For definitions of TO-263 compliance p

 9.1. Size:169K  vishay
sqm50p08-25l.pdfpdf_icon

SQM50N04-4M1

SQM50P08-25Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 80 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.025 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.031 AEC-Q101 QualifieddID (A) - 50 Material categorization:Configuration

Другие MOSFET... SQM25N15-52 , SQM35N30-97 , SQM40N10-30 , SQM40N15-38 , SQM40P10-40L , SQM47N10-24L , SQM50020EL , SQM50N04-4M0L , IRFP250 , SQM50N04-5M0 , SQM50P03-07 , SQM50P04-09L , SQM50P06-15L , SQM50P08-25L , SQM60N06-15 , SQM60N20-35 , SQM85N03-06P .

History: 2SK1014-01 | RU1HL8L | IXTH10N60 | TSM4946DCS | UPA1770 | KRF7703 | BLM4953

 

 
Back to Top

 


 
.