SQM50N04-4M1 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SQM50N04-4M1 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 512 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SQM50N04-4M1
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SQM50N04-4M1 даташит
sqm50n04-4m1.pdf
SQM50N04-4m1 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0041 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) 50 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Material categorization For definitions of compliance please s
sqm50n04-4m0l.pdf
SQM50N04-4m0L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0040 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0055 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) 50 Material categorization Configuration Singl
sqm50n04-5m0.pdf
SQM50N04-5m0 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.005 100 % Rg and UIS Tested ID (A) 50 AEC-Q101 Qualifiedd Configuration Single Material categorization For definitions of TO-263 compliance p
sqm50p08-25l.pdf
SQM50P08-25L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 80 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.025 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.031 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) - 50 Material categorization Configuration
Другие IGBT... SQM25N15-52, SQM35N30-97, SQM40N10-30, SQM40N15-38, SQM40P10-40L, SQM47N10-24L, SQM50020EL, SQM50N04-4M0L, IRF1010E, SQM50N04-5M0, SQM50P03-07, SQM50P04-09L, SQM50P06-15L, SQM50P08-25L, SQM60N06-15, SQM60N20-35, SQM85N03-06P
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q | ASDM30N120Q | ASDM30N120KQ | ASDM30N100KQ | ASDM30DN40E | ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60
Popular searches
fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet









