SQP60N06-15 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQP60N06-15  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 314 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SQP60N06-15

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQP60N06-15 даташит

 ..1. Size:126K  vishay
 sqp60n06-15.pdf pdf_icon

SQP60N06-15

SQP60N06-15 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 60 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.015 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) 56 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Material categorization D TO-220AB For definitions of complianc

Другие IGBT... SQM85N10-10, SQM85N15-19, SQP100P06-9M3L, SQP120N06-06, SQP120N10-09, SQP120N10-3M8, SQP50N06-09L, SQP50P03-07, 5N60, SQP90P06-07L, SQR40N10-25, SQR50N03-06P, SQR50N04-3M8, SQR50N06-07L, SSF22A5E, SSF2418B, SSF2418EBK