SSF2418B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSF2418B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: SOT-23-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSF2418B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF2418B даташит

 ..1. Size:511K  goodark
 ssf2418b.pdf pdf_icon

SSF2418B

SSF2418B 20V Dual N-Channel MOSFET DESCRIPTION The SSF2418B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch. It is ESD protected. Schematic Diagram GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID =6A RDS(ON)

 7.1. Size:294K  silikron
 ssf2418eb.pdf pdf_icon

SSF2418B

SSF2418EB DESCRIPTION The SSF2418EB uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 0.5V. This device is suitable for use as a load switch. It is ESD protected. Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID =6A RDS(ON)

 7.2. Size:382K  silikron
 ssf2418e.pdf pdf_icon

SSF2418B

SSF2418E Main Product Characteristics VDSS 20V RDS(on) 18mohm(typ.) ID 6A Mark ing an d pi n SOT23-6 Schema t ic diagr a m Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body re

 7.3. Size:508K  goodark
 ssf2418ebk.pdf pdf_icon

SSF2418B

SSF2418EBK 20V Dual N-Channel MOSFET DESCRIPTION The SSF2418EBK uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch. It is ESD protected. Schematic Diagram GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID =6A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SQP50P03-07, SQP60N06-15, SQP90P06-07L, SQR40N10-25, SQR50N03-06P, SQR50N04-3M8, SQR50N06-07L, SSF22A5E, K4145, SSF2418EBK, SSF2439E, SSF2641S, SSF2816EBK, SSF2N60D1, SSF3612E, R9523, SSF440M