Справочник MOSFET. TK100E10N1

 

TK100E10N1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK100E10N1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 255 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для TK100E10N1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK100E10N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:247K  toshiba
 tk100e10n1.pdf pdf_icon

TK100E10N1

TK100E10N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK100E10N1TK100E10N1TK100E10N1TK100E10N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.8 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 100 V)(3)

 ..2. Size:245K  inchange semiconductor
 tk100e10n1.pdf pdf_icon

TK100E10N1

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK100E10N1ITK100E10N1FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 3.4m. (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth =2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE M

 8.1. Size:247K  toshiba
 tk100e08n1.pdf pdf_icon

TK100E10N1

TK100E08N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK100E08N1TK100E08N1TK100E08N1TK100E08N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.6 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 80 V)(3)

 8.2. Size:244K  toshiba
 tk100e06n1.pdf pdf_icon

TK100E10N1

TK100E06N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK100E06N1TK100E06N1TK100E06N1TK100E06N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.9 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V)(3)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TJ15S10M3 , TJ200F04M3L , TJ9A10M3 , TK100A06N1 , TK100A08N1 , TK100A10N1 , TK100E06N1 , TK100E08N1 , AO4468 , TK100L60W , TK100S04N1L , TK10A60W5 , TK10A80E , TK10E60W , TK10J80E , TK10P60W , TK10Q60W .

History: ISP12DP06NM | NCE042N30K | 2N3382 | STW20N90K5 | PDN3916S | STG8810 | IRFH8311PBF

 

 
Back to Top

 


 
.