TK10E60W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK10E60W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для TK10E60W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK10E60W даташит

 ..1. Size:251K  toshiba
 tk10e60w.pdf pdf_icon

TK10E60W

TK10E60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK10E60W TK10E60W TK10E60W TK10E60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.327 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk10e60w.pdf pdf_icon

TK10E60W

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK10E60W ITK10E60W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.38 . Enhancement mode Vth =2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=0.5mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

 9.1. Size:421K  toshiba
 tk10e80w.pdf pdf_icon

TK10E60W

TK10E80W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK10E80W TK10E80W TK10E80W TK10E80W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.46 (typ.) by using Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhan

 9.2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk10e80w.pdf pdf_icon

TK10E60W

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK10E80W ITK10E80W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.55 . Enhancement mode Vth =3.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.45mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK100A10N1, TK100E06N1, TK100E08N1, TK100E10N1, TK100L60W, TK100S04N1L, TK10A60W5, TK10A80E, IRF3205, TK10J80E, TK10P60W, TK10Q60W, TK10V60W, TK11A65W, TK11P65W, TK11Q65W, TK11S10N1L