Справочник MOSFET. TK10E60W

 

TK10E60W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK10E60W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для TK10E60W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK10E60W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  toshiba
 tk10e60w.pdf pdf_icon

TK10E60W

TK10E60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK10E60WTK10E60WTK10E60WTK10E60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.327 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk10e60w.pdf pdf_icon

TK10E60W

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK10E60WITK10E60WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.38.Enhancement mode:Vth =2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=0.5mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

 9.1. Size:421K  toshiba
 tk10e80w.pdf pdf_icon

TK10E60W

TK10E80WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK10E80WTK10E80WTK10E80WTK10E80W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.46 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhan

 9.2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk10e80w.pdf pdf_icon

TK10E60W

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK10E80WITK10E80WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.55.Enhancement mode:Vth =3.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.45mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TK100A10N1 , TK100E06N1 , TK100E08N1 , TK100E10N1 , TK100L60W , TK100S04N1L , TK10A60W5 , TK10A80E , IRF3205 , TK10J80E , TK10P60W , TK10Q60W , TK10V60W , TK11A65W , TK11P65W , TK11Q65W , TK11S10N1L .

History: WVM4N50 | SDF034 | HY3410B | STT3457P | KCY3303S | STFI40N60M2 | TMU2N40

 

 
Back to Top

 


 
.