Справочник MOSFET. TK14C65W

 

TK14C65W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK14C65W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: I2PAK
 

 Аналог (замена) для TK14C65W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK14C65W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  toshiba
 tk14c65w.pdf pdf_icon

TK14C65W

TK14C65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK14C65WTK14C65WTK14C65WTK14C65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.22 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En

 0.1. Size:237K  toshiba
 tk14c65w5.pdf pdf_icon

TK14C65W

TK14C65W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK14C65W5TK14C65W5TK14C65W5TK14C65W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 100 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.25 (typ.) by using Super Junction Struc

Другие MOSFET... TK12A60W , TK12E60W , TK12J60W , TK12P60W , TK12Q60W , TK12V60W , TK14A65W , TK14A65W5 , P55NF06 , TK14C65W5 , TK14E65W , TK14E65W5 , TK14G65W , TK14G65W5 , TK14N65W , TK14N65W5 , TK14V65W .

History: BRCS25N60PH | 2SK1165 | CEU03N8 | NDD03N40Z | 2SK2397-01MR | FTK2312 | 6604

 

 
Back to Top

 


 
.