TK14C65W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK14C65W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: I2PAK

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для TK14C65W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK14C65W даташит

 ..1. Size:241K  toshiba
 tk14c65w.pdf pdf_icon

TK14C65W

TK14C65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK14C65W TK14C65W TK14C65W TK14C65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.22 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

 0.1. Size:237K  toshiba
 tk14c65w5.pdf pdf_icon

TK14C65W

TK14C65W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK14C65W5 TK14C65W5 TK14C65W5 TK14C65W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 100 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.25 (typ.) by using Super Junction Struc

Другие IGBT... TK12A60W, TK12E60W, TK12J60W, TK12P60W, TK12Q60W, TK12V60W, TK14A65W, TK14A65W5, IRF3710, TK14C65W5, TK14E65W, TK14E65W5, TK14G65W, TK14G65W5, TK14N65W, TK14N65W5, TK14V65W