Справочник MOSFET. TK14G65W

 

TK14G65W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK14G65W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для TK14G65W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK14G65W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  toshiba
 tk14g65w.pdf pdf_icon

TK14G65W

TK14G65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK14G65WTK14G65WTK14G65WTK14G65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.22 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En

 0.1. Size:237K  toshiba
 tk14g65w5.pdf pdf_icon

TK14G65W

TK14G65W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK14G65W5TK14G65W5TK14G65W5TK14G65W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 100 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.25 (typ.) by using Super Junction Struc

Другие MOSFET... TK12Q60W , TK12V60W , TK14A65W , TK14A65W5 , TK14C65W , TK14C65W5 , TK14E65W , TK14E65W5 , IRF9540 , TK14G65W5 , TK14N65W , TK14N65W5 , TK14V65W , TK15S04N1L , TK160F10N1 , TK16A60W , TK16A60W5 .

History: VS3628GA | CSD16322Q5 | 2SK3019

 

 
Back to Top

 


 
.