TK14N65W - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

TK14N65W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: TK14N65W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13.7 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 35 nC
   Время нарастания (tr): 20 ns
   Выходная емкость (Cd): 35 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для TK14N65W

TK14N65W Datasheet (PDF)

..1. Size:245K toshiba
tk14n65w.pdf

TK14N65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK14N65WTK14N65WTK14N65WTK14N65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.22 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En

0.1. Size:242K toshiba
tk14n65w5.pdf

TK14N65W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK14N65W5TK14N65W5TK14N65W5TK14N65W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 100 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.25 (typ.) by using Super Junction Struc

9.1. Size:293K st
stk14n10.pdf