TK14N65W5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK14N65W5  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO-247

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для TK14N65W5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK14N65W5 даташит

 ..1. Size:242K  toshiba
 tk14n65w5.pdf pdf_icon

TK14N65W5

TK14N65W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK14N65W5 TK14N65W5 TK14N65W5 TK14N65W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 100 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.25 (typ.) by using Super Junction Struc

 6.1. Size:245K  toshiba
 tk14n65w.pdf pdf_icon

TK14N65W5

TK14N65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK14N65W TK14N65W TK14N65W TK14N65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.22 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

 9.1. Size:293K  st
 stk14n10.pdf pdf_icon

TK14N65W5

 9.2. Size:332K  st
 stk14n05 stk14n06.pdf pdf_icon

TK14N65W5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK14A65W5, TK14C65W, TK14C65W5, TK14E65W, TK14E65W5, TK14G65W, TK14G65W5, TK14N65W, 7N65, TK14V65W, TK15S04N1L, TK160F10N1, TK16A60W, TK16A60W5, TK16C60W, TK16E60W, TK16E60W5