TK16C60W - аналоги и даташиты транзистора

 

TK16C60W - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TK16C60W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: I2PAK
 

 Аналог (замена) для TK16C60W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK16C60W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  toshiba
 tk16c60w.pdf pdf_icon

TK16C60W

TK16C60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK16C60WTK16C60WTK16C60WTK16C60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.16 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En

Другие MOSFET... TK14G65W5 , TK14N65W , TK14N65W5 , TK14V65W , TK15S04N1L , TK160F10N1 , TK16A60W , TK16A60W5 , STP75NF75 , TK16E60W , TK16E60W5 , TK16G60W , TK16G60W5 , TK16J60W , TK16J60W5 , TK16N60W , TK16N60W5 .

 

 
Back to Top

 


 
.