TK16E60W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK16E60W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для TK16E60W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK16E60W даташит

 ..1. Size:251K  toshiba
 tk16e60w.pdf pdf_icon

TK16E60W

TK16E60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK16E60W TK16E60W TK16E60W TK16E60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.16 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk16e60w.pdf pdf_icon

TK16E60W

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK16E60W ITK16E60W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.19 . Enhancement mode Vth =2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=0.79mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 0.1. Size:250K  toshiba
 tk16e60w5.pdf pdf_icon

TK16E60W

TK16E60W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK16E60W5 TK16E60W5 TK16E60W5 TK16E60W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 100 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.18 (typ.) by used to Super Junction Str

 0.2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk16e60w5.pdf pdf_icon

TK16E60W

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK16E60W5 ITK16E60W5 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.23 . Enhancement mode Vth =3.0 to 4.5V (VDS = 10 V, ID=0.79mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK14N65W, TK14N65W5, TK14V65W, TK15S04N1L, TK160F10N1, TK16A60W, TK16A60W5, TK16C60W, 2N7002, TK16E60W5, TK16G60W, TK16G60W5, TK16J60W, TK16J60W5, TK16N60W, TK16N60W5, TK16V60W