TK16G60W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK16G60W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для TK16G60W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK16G60W даташит

 ..1. Size:244K  toshiba
 tk16g60w.pdf pdf_icon

TK16G60W

TK16G60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK16G60W TK16G60W TK16G60W TK16G60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.16 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

 0.1. Size:243K  toshiba
 tk16g60w5.pdf pdf_icon

TK16G60W

TK16G60W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK16G60W5 TK16G60W5 TK16G60W5 TK16G60W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 100 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.18 (typ.) by used to Super Junction Str

Другие IGBT... TK14V65W, TK15S04N1L, TK160F10N1, TK16A60W, TK16A60W5, TK16C60W, TK16E60W, TK16E60W5, IRF4905, TK16G60W5, TK16J60W, TK16J60W5, TK16N60W, TK16N60W5, TK16V60W, TK16V60W5, TK17A80W