Справочник MOSFET. TK16G60W

 

TK16G60W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK16G60W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для TK16G60W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK16G60W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  toshiba
 tk16g60w.pdf pdf_icon

TK16G60W

TK16G60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK16G60WTK16G60WTK16G60WTK16G60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.16 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En

 0.1. Size:243K  toshiba
 tk16g60w5.pdf pdf_icon

TK16G60W

TK16G60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK16G60W5TK16G60W5TK16G60W5TK16G60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 100 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.18 (typ.) by used to Super Junction Str

Другие MOSFET... TK14V65W , TK15S04N1L , TK160F10N1 , TK16A60W , TK16A60W5 , TK16C60W , TK16E60W , TK16E60W5 , IRF4905 , TK16G60W5 , TK16J60W , TK16J60W5 , TK16N60W , TK16N60W5 , TK16V60W , TK16V60W5 , TK17A80W .

History: STF32N65M5 | 2SK1206 | IXTH90P10P

 

 
Back to Top

 


 
.