TK16G60W5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK16G60W5  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TK16G60W5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK16G60W5 даташит

 ..1. Size:243K  toshiba
 tk16g60w5.pdf pdf_icon

TK16G60W5

TK16G60W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK16G60W5 TK16G60W5 TK16G60W5 TK16G60W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 100 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.18 (typ.) by used to Super Junction Str

 6.1. Size:244K  toshiba
 tk16g60w.pdf pdf_icon

TK16G60W5

TK16G60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK16G60W TK16G60W TK16G60W TK16G60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.16 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

Другие IGBT... TK15S04N1L, TK160F10N1, TK16A60W, TK16A60W5, TK16C60W, TK16E60W, TK16E60W5, TK16G60W, IRLB4132, TK16J60W, TK16J60W5, TK16N60W, TK16N60W5, TK16V60W, TK16V60W5, TK17A80W, TK17C65W