TK16G60W5 - аналоги и даташиты транзистора

 

TK16G60W5 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TK16G60W5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для TK16G60W5

 

TK16G60W5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  toshiba
 tk16g60w5.pdf pdf_icon

TK16G60W5

TK16G60W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK16G60W5 TK16G60W5 TK16G60W5 TK16G60W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 100 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.18 (typ.) by used to Super Junction Str

 6.1. Size:244K  toshiba
 tk16g60w.pdf pdf_icon

TK16G60W5

TK16G60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK16G60W TK16G60W TK16G60W TK16G60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.16 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

Другие MOSFET... TK15S04N1L , TK160F10N1 , TK16A60W , TK16A60W5 , TK16C60W , TK16E60W , TK16E60W5 , TK16G60W , IRLB4132 , TK16J60W , TK16J60W5 , TK16N60W , TK16N60W5 , TK16V60W , TK16V60W5 , TK17A80W , TK17C65W .

 

 
Back to Top

 


 
.