TK16V60W5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK16V60W5  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.245 Ohm

Тип корпуса: DFN8X8

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для TK16V60W5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK16V60W5 даташит

 ..1. Size:275K  toshiba
 tk16v60w5.pdf pdf_icon

TK16V60W5

TK16V60W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK16V60W5 TK16V60W5 TK16V60W5 TK16V60W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 100 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.196 (typ.) (3) Easy to control Gate switc

 6.1. Size:251K  toshiba
 tk16v60w.pdf pdf_icon

TK16V60W5

TK16V60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK16V60W TK16V60W TK16V60W TK16V60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.16 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

Другие IGBT... TK16E60W5, TK16G60W, TK16G60W5, TK16J60W, TK16J60W5, TK16N60W, TK16N60W5, TK16V60W, SKD502T, TK17A80W, TK17C65W, TK17E65W, TK17N65W, TK17V65W, TK18E10K3, TK200F04N1L, TK20A60W