TK17C65W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TK17C65W
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 165 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 17.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 40 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 Ohm
Тип корпуса: I2PAK
TK17C65W Datasheet (PDF)
..1. Size:243K toshiba
tk17c65w.pdf
tk17c65w.pdf
TK17C65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK17C65WTK17C65WTK17C65WTK17C65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.17 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
