Справочник MOSFET. TK17C65W

 

TK17C65W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK17C65W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: I2PAK
 

 Аналог (замена) для TK17C65W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK17C65W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  toshiba
 tk17c65w.pdf pdf_icon

TK17C65W

TK17C65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK17C65WTK17C65WTK17C65WTK17C65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.17 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En

Другие MOSFET... TK16G60W5 , TK16J60W , TK16J60W5 , TK16N60W , TK16N60W5 , TK16V60W , TK16V60W5 , TK17A80W , TK10A60D , TK17E65W , TK17N65W , TK17V65W , TK18E10K3 , TK200F04N1L , TK20A60W , TK20A60W5 , TK20C60W .

History: AP65SL210AFI | HGN650N15S | SM3023NSU | SIL2300 | TDM3406 | D630 | 2SK1074

 

 
Back to Top

 


 
.