TK17N65W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK17N65W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO-247

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для TK17N65W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK17N65W даташит

 ..1. Size:247K  toshiba
 tk17n65w.pdf pdf_icon

TK17N65W

TK17N65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK17N65W TK17N65W TK17N65W TK17N65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.17 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

 9.1. Size:299K  st
 stk17n10.pdf pdf_icon

TK17N65W

 9.2. Size:88K  ixys
 ixtk17n120l ixtx17n120l.pdf pdf_icon

TK17N65W

Другие IGBT... TK16J60W5, TK16N60W, TK16N60W5, TK16V60W, TK16V60W5, TK17A80W, TK17C65W, TK17E65W, 12N60, TK17V65W, TK18E10K3, TK200F04N1L, TK20A60W, TK20A60W5, TK20C60W, TK20E60W, TK20E60W5