Справочник MOSFET. TK17N65W

 

TK17N65W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK17N65W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для TK17N65W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK17N65W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:247K  toshiba
 tk17n65w.pdf pdf_icon

TK17N65W

TK17N65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK17N65WTK17N65WTK17N65WTK17N65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.17 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En

 9.1. Size:299K  st
 stk17n10.pdf pdf_icon

TK17N65W

 9.2. Size:88K  ixys
 ixtk17n120l ixtx17n120l.pdf pdf_icon

TK17N65W

Advance Technical InformationIXTK17N120L VDSS = 1200 VLinear Power MOSFETIXTX17N120L ID25 = 17 AWith Extended FBSOA RDS(on) 0.99 N-Channel Enhancement ModeTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1200 VGDVGS Continuous 30 VS(TAB)VGSM Transient

Другие MOSFET... TK16J60W5 , TK16N60W , TK16N60W5 , TK16V60W , TK16V60W5 , TK17A80W , TK17C65W , TK17E65W , 4N60 , TK17V65W , TK18E10K3 , TK200F04N1L , TK20A60W , TK20A60W5 , TK20C60W , TK20E60W , TK20E60W5 .

History: AM90N06-15P | SPD30N03S2L-07G | SL2319A | AM2391P | 2SK2666 | IRFN130SMD | JCS7N80FC

 

 
Back to Top

 


 
.