TK20A60W5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK20A60W5  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm

Тип корпуса: TO-220SIS

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для TK20A60W5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK20A60W5 даташит

 ..1. Size:234K  toshiba
 tk20a60w5.pdf pdf_icon

TK20A60W5

TK20A60W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK20A60W5 TK20A60W5 TK20A60W5 TK20A60W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 110 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.15 (typ.) by used to Super Junction Str

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk20a60w5.pdf pdf_icon

TK20A60W5

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK20A60W5, ITK20A60W5 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.15 (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 3.0 to 4.5V (VDS = 10 V, ID=1mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regula

 6.1. Size:243K  toshiba
 tk20a60w.pdf pdf_icon

TK20A60W5

TK20A60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK20A60W TK20A60W TK20A60W TK20A60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.13 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

 6.2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk20a60w.pdf pdf_icon

TK20A60W5

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK20A60W, ITK20A60W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.155 (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=1mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK17A80W, TK17C65W, TK17E65W, TK17N65W, TK17V65W, TK18E10K3, TK200F04N1L, TK20A60W, IRF530, TK20C60W, TK20E60W, TK20E60W5, TK20G60W, TK20J60W, TK20J60W5, TK20N60W, TK20N60W5